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Transistor IGBT FGH60N60
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Transistor IGBT FGH60N60
Especificaciones:
• Temperatura máxima de conexiones: TJ = 175oC
• Temperatura positiva coeficiente de fácil funcionamiento paralelo
• Alta capacidad de corriente
• Baja tensión de saturación: VCE (sat) = 1.9 V (Típico) @ IC = 60A
• Alta impedancia de entrada
• Conmutación rápida
• Parámetros de distribución
• Compatible con RoHS
Especificaciones técnicas:
- Familia: de transistores Igbt-Single
- Tipo IGBT: Diafragma de campo
- Voltaje Colector-Emisor (Máx.): 600 V
- Actual-Colector (Ic) (Máx.): 120A
- Actual-Colector Pulsada (Icm): 180A
- Vce (on) (Máx.) Vge, Ic: 2.5 V @ 15 V, 60A
- Energía-Máxima: 600 W
- Conmutación de la Energía: 1.26mJ (a), 450 y micro
- Tipo de entrada: estándar
- Bloque la Carga: 189nC
- Td (on/off) @ 25 ° C: 18ns/104ns
Aplicaciones:
• En inversores Solares, UPS, SMPS, PFC
• Calentamiento por inducción
La compra incluye:
- 1 Transistor FGH60N60
FGH60N60
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